KRI 離子束產品介紹 柵格離子源（Gridded Ion Sources）
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摘要
KRI 柵格離子源（Gridded Ion Sources）含 KDC 直流考夫曼型 與 RFICP 射頻型 兩大系列，憑借 自對準離子光學 技術，調控 100–1200 eV 離子能量 與 10 mA–1000 mA + 寬束流 。KDC 系列（10/40/75/100/160）覆蓋桌面研發(fā)到 300mm 晶圓產線，RFICP 系列免燈絲設計提升穩(wěn)定性；支持 Ar、O?等多氣體，集成電源、中和器，快速適配真空鍍膜、刻蝕、材料改性等工藝，為半導體、光學、MEMS 領域提供 納米級離子束解決方案 。
產品介紹
KRI 離子束產品介紹
柵格離子源（Gridded Ion Sources）
核心特點
• OptiBeam™ 自對準光學系統(tǒng)
• 可控中和
• 等離子體放電
• 模塊化架構
• 適用于惰性、反應性和有機氣體
• 可產生準直、發(fā)散和會聚光束
相關公式
• 平均自由程（目標溫度 = 入射溫度）：\lambda=1/\sqrt{2}nQ
• 平均自由程（目標溫度 = 0）：\lambda=1/nQ
• 路徑長度分布：I=I_0\exp(-x/\lambda)
• 德拜長度：\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}
• 玻爾茲曼方程：n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)
• 蔡爾德定律：j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)
• 玻姆電導率：\sigma_B\approx en_e/16
• 溫度 - 能量等價：1\ \text{ev}=11600\ \text{K}
• 麥克斯韋平均速度：\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}
應用領域
• 離子束輔助沉積
• 原位襯底預清潔
• 離子束濺射沉積
• 表面改性
• 離子束刻蝕
• 離子束成形
• 表面拋光與平滑
• 離子束微調與調諧
柵格系列產品 RFICP 系列
KDC 系列
取決于離子光學系統(tǒng) ** 可提供其他中和器
柵格離子源優(yōu)勢
• 低成本
• 工業(yè)級
• 遠程等離子體
• 定向光束
• 光束成形
• 精確控制（離子電流、離子能量）
• 自對準離子光學系統(tǒng)
• 適用于惰性和反應性氣體
• 離子能量范圍大
• 離子電流密度高
• 可產生準直、發(fā)散和聚焦光束
無柵格離子與等離子體源（Gridless Ion & Plasma Sources）
核心特點
• 無柵格設計
• 適用于惰性和反應性氣體
• 優(yōu)化配置
• 模塊化陽極
• 低能離子
• 高離子電流
• 大工藝區(qū)域
相關公式
• 平均自由程（目標溫度 = 入射溫度）：\lambda=1/\sqrt{2}nQ
• 平均自由程（目標溫度 = 0）：\lambda=1/nQ
• 路徑長度分布：I=I_0\exp(-x/\lambda)
• 德拜長度：\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}
• 玻爾茲曼方程：n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)
• 蔡爾德定律：j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)
• 玻姆電導率：\sigma_B\approx en_e/16
• 溫度 - 能量等價：1\ \text{ev}=11600\ \text{K}
• 麥克斯韋平均速度：\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}
應用領域
• 離子束輔助沉積（IBAD）
• 原位襯底預清潔
• 直接沉積涂層
• 表面改性
• 低能離子束刻蝕
• 偏壓靶離子束沉積
eH 系列產品
注：F = 燈絲；HC = 空心陰極；xO_2= 針對氧氣電流優(yōu)化
線性源（eHL-X 線性配置）
線性 eHL-X 離子 / 等離子體束源適用于安裝在線性移動襯底，如在線、卷對卷涂層和旋轉濺射系統(tǒng)。典型應用包括原位清潔和離子輔助沉積，其中低能量和高電流是有利的。
• 優(yōu)化均勻性
• 優(yōu)化離子電流劑量
• 最小化長度
• 用戶可調節(jié)
• 整體選項
模塊化線性配置具有獨特的優(yōu)化能力。它使用標準圓柱形端霍爾模塊放置在線性陣列中。模塊的間距和數量為應用提供了強大的優(yōu)勢。可以調整模塊的間距以優(yōu)化電流密度劑量、均勻性和整體長度。由于這種配置使用一個電子源和一個公共電源，集成模塊化線性封裝的成本被最小
電源
所有 KRI 電源均采用先進的初級開關電源模塊，具有輸出控制功能，以保護電源和負載。通過更換或添加模塊，可以輕松實現從基本配置到高級配置的升級。根據型號的不同，電源提供交流或直流信號，輸出功率范圍為 300 至 4000W。
• 具有快速更換電源模塊的模塊化架構
• 可靠的電源模塊，專為工業(yè)用途設計
• 通過保護電路進行短路和電弧管理
• 在整個工作范圍內恒定且穩(wěn)定的離子束參數控制
• 可選擇適合應用的操作模式
公司簡介
自 1978 年以來，Kaufman & Robinson（KRI）公司一直為真空處理領域的制造商和研究人員設計和制造寬束離子源。柵格離子束產品和 eH 離子 / 等離子體束產品的設計均基于公司在等離子體物理、離子源設計和電源控制工程方面的世界公認專業(yè)知識。
目前，KRI 在離子束和等離子體技術方面擁有超過 20 項有效專利，包括其在多孔徑離子光學技術和無柵格端霍爾技術方面的創(chuàng)新設計。
KRI 的產品包括寬束柵格離子源、寬束端霍爾離子源以及自動化電源控制器。所有設計都簡單直觀，可輕松改裝到現有真空系統(tǒng)中，或輕松集成到新的 OEM 系統(tǒng)中。
（注：文檔部分內容可能由 AI 生成）
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